Karbid křemíku (SiC) je elektricky vodivý, ale jeho vodivost se může lišit v závislosti na jeho dopování a specifické formě SiC. SiC je polovodič, což znamená, že jeho elektrická vodivost může být řízena zaváděním nečistot (dopingem) do jeho krystalové struktury.
Existují různé typy krystalů SiC, jako je n-typ a p-typ:
SiC typu N: Dopování prvky jako fosfor nebo dusík zavádí elektrony navíc, čímž se zvyšuje jeho vodivost.
SiC typu P: Dopování prvky, jako je hliník nebo bor, může vytvořit „díry“ (pozitivní nosiče náboje), které také přispívají k elektrické vodivosti.
